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外加氦气流下脉冲激光沉积制备纳米硅晶粒成核区宽度的计算
在室温、10 Pa氦气氛围中,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过在烧蚀羽辉正上方距靶面不同位置垂直引入一束氦气流,在烧蚀点正下方与烧......
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成核区宽度
脉冲激光沉积
外加气流
类平抛运动
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Si nano-crystal grain
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